Главная страница » Новости » Представлена новая технология производства нанотранзисторов

Чат
Hevding
А есть тут такие, кто в лыжах и креплениях хорошо шарит?
bylterer
Ахуенный парень, ты любишь облизывать мужские престарелые членики butthurt
Ахуенный парень
россо леванто, love
россо леванто
Встречайте участника №8
Ахуенный парень
россо леванто, я ж люблюююю тебяяяя
Ахуенный парень
чего
kartmanVS
butthurt
Гусінь
sergsum, а шо, в азии мужики перевелись? awe
sergsum
россо леванто, Просто исправь название конкурса awe Европа, хуле
россо леванто
в почте опять мужские сиськи recourse Шо делать?
россо леванто
Shu_her, Сцукер... laughing
россо леванто
Ахуенный парень, хуйнязеф, изыди
Гусінь
Shu_her, huy
Ахуенный парень
bylterer, насрать на тебя быдло ебаное
Shu_her
россо леванто, Гусінь, Link
bylterer
Ахуенный парень, за касарь отсосешь?
Ахуенный парень
россо леванто, кококо
Ахуенный парень
гы
Гусінь
россо леванто, мне б сегодня awe
россо леванто
Гусінь, ЕСТЬ
Гусінь
россо леванто, лисица, а у тебя есть лисьи приметы для теплой погоды и небольшого снежка? наприметь, а?
россо леванто
Це вже навіть не смішно: У Сирії розбився третій військовий літак з недо-авіаносця "Кузі" - цього разу на суходолі.
россо леванто
bylterer, гав!
Татка Медузкина
winked
Гусінь
what
bylterer
troll
россо леванто

Только зарегистрированные посетители могут писать в чате.
Опрос

Новое имя для чемпа

Так я женат
Ради кал
Сперва добейся
$1000
Извини за супругу
 
 
 
Также можете почитать
В американской компании Applied Materials научились наносить слои диэлектрика толщиной в один атом каждый, чтобы получался 22-нанометровый чип с транзистором.


Представлена новая технология производства нанотранзисторов



Оборудование для производства нанотранзисторов нового поколения. (Фото Applied Materials.)



Нанотранзистор, сконструированный специалистами Applied Materials, состоит из трёх слоёв: кремниевой основы, проводящего слоя диоксида кремния и изолирующего слоя оксида гафния, содержащего атомы азота.

Поскольку от диэлектрика зависит способность транзистора контролировать прохождение электронов, а толщина этого слоя составляет всего 2 нм, инженеры предложили поатомное распределение материала. В целях защиты изделия от посторонних включений, которые содержатся в воздухе, процедура проводится в вакуумной камере.

Такой подход, получивший название Centura Integrated Gate Stack, позволяет ускорить прохождение заряженных частиц через транзистор на 10%. Это в конечном счёте приводит к более быстрой работе микропроцессора или графического чипа с таким транзистором, а также к экономии энергии.

Applied Materials продемонстрировала технологию на конференции по микроэлектронике Semicon West 2011, состоявшейся 12–14 июля в Сан-Франциско (США).

Подготовлено по материалам Applied Materials.
15
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
#1
17-07-2011 15:59
 
Гости
0
А зачем эти нанатранзистары вапще нужны?Музыку играют,да?

#2
17-07-2011 16:06
 
1087
 
3237
 
Мистер Комунист
0
чтобы создавать более мощные процессоры (более умные) в том же объёме больше транзисторов ... это закон Мура... и к нему стремится вся электроника всего мира .. в частности Силиконовая долина в штате Калифорния

#3
17-07-2011 16:10
 
Гости
0
Ясна... lol

#4
 
Drummer
17-07-2011 16:21
 
33
 
983
 
Старожилы S.F.W.
0
ну еще бы , каждый год технологии улучшаются и все больше и больше транцисторов умещается на платине ,
__________________________________________
Ненавижу алкашей

#5
 
Asad
17-07-2011 16:54
 
19081
 
Старожилы S.F.W.
0
noid_debil

#6
 
Apokrif
17-07-2011 17:09
 
64
 
2450
 
Журналюги
0
thumbsup
__________________________________________



#7
17-07-2011 18:04
 
10
 
2888
 
Старожилы S.F.W.
0
wink
__________________________________________

#8
17-07-2011 18:57
 
1865
 
Старожилы S.F.W.
0
да куда уже больше noid_help
__________________________________________
Круто быть стриптизершей в том, что человек большую часть дня просто бродить вокруг и ничего не делать.

#9
 
AMF
17-07-2011 19:09
 
127
 
9945
 
Старожилы S.F.W.
0
noid_alien

#10
17-07-2011 19:10
 
3899
 
Старожилы S.F.W.
0
пень333

#11
 
inside
17-07-2011 19:13
 
12
 
1463
 
Старожилы S.F.W.
0
ИБМ разработала транзисторы с граничной частотой 300ГГц, а это шо за kalhozneg

#12
 
Soyer
17-07-2011 20:18
 
94
 
8115
 
Старожилы S.F.W.
0
vsempohuy

#13
17-07-2011 21:51
 
1
 
502
 
Старожилы S.F.W.
0
Цитата: inside
а это шо за

с помощью этой шняги эти ваши айфоны будут с четырёхядерными процами, и тянуть крайзис

#14
 
dralex
17-07-2011 23:22
 
2
 
24547
 
Старожилы S.F.W.
0
vsempohuy

#15
17-07-2011 23:31
 
58
 
Старожилы S.F.W.
0
Комунист, А я уж подумал что нанокомбик реален wink

#16
 
Levicom
18-07-2011 00:41
 
2
 
923
 
Старожилы S.F.W.
0
noid_shitting

#17
18-07-2011 17:36
 
2862
 
Старожилы S.F.W.
0
Класс! noid_plus Слышал, что русские тоже ведут разработки пленок и напылений в атом толщиной, но что-то долго о них ничего не слышно. Видать ученые свалили в цивилизованный мир. Ждем реализации в устройствах.

#18
 
Valter
19-07-2011 08:09
 
325
 
12368
 
Журналюги
0
Это полезно!
__________________________________________
и долгая тьма закончилась...

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
наверх