Инженеры из Исследовательского центра им. Томаса Уотсона компании IBM сконструировали быстрый графеновый транзистор на подложке из алмазоподобного углерода.
Листы графена американцы вырастили на медной фольге по экономичной и хорошо отработанной методике химического осаждения из паровой фазы (CVD). При изготовлении транзисторов эти листы переносят на изолирующую подложку, которая обычно выполняется из диоксида кремния. К сожалению, взаимодействие диэлектрика с графеном отрицательно сказывается на электронных свойствах последнего.
Алмазоподобный углерод, неполярный диэлектрик, в новых опытах занявший место двуокиси кремния, тоже довольно часто используется в полупроводниковой промышленности. Слой такого углерода, недорогого и имеющего отличную теплопроводность, был размещён на подложке из обычного кремния; переместив туда же графен и сформировав остальные элементы транзисторов, учёные приступили к тестированию.
Замена оказалась продуктивной: граничная частота, на которой коэффициент усиления по току уменьшается до единицы, у полученных полевых транзисторов с малой длиной затвора (40 нм) приближалась к 155 ГГц. «Это рекорд для устройств, изготовленных с применением CVD-графена, — утверждает руководитель исследования Федон Авурис (Phaedon Avouris). — Более того, наша технология имеет хорошие перспективы развития. Мы использовали CVD-графен не слишком высокого качества с подвижностью носителей заряда, опускающейся ниже 1 000 см²/(В•с)».
Интересно, что графеновые транзисторы на алмазоподобном углероде прекрасно работали даже при сверхнизкой температуре в 4,3 К. У обычных полупроводниковых устройств при падении температуры проявляется эффект вымораживания носителей заряда, сильно ухудшающий характеристики.
Полная версия отчёта опубликована в журнале Nature.
Подготовлено по материалам Physicsworld.Com.
Листы графена американцы вырастили на медной фольге по экономичной и хорошо отработанной методике химического осаждения из паровой фазы (CVD). При изготовлении транзисторов эти листы переносят на изолирующую подложку, которая обычно выполняется из диоксида кремния. К сожалению, взаимодействие диэлектрика с графеном отрицательно сказывается на электронных свойствах последнего.
Алмазоподобный углерод, неполярный диэлектрик, в новых опытах занявший место двуокиси кремния, тоже довольно часто используется в полупроводниковой промышленности. Слой такого углерода, недорогого и имеющего отличную теплопроводность, был размещён на подложке из обычного кремния; переместив туда же графен и сформировав остальные элементы транзисторов, учёные приступили к тестированию.
Схема графенового транзистора на алмазоподобном углероде (иллюстрация Phaedon Avouris).
Замена оказалась продуктивной: граничная частота, на которой коэффициент усиления по току уменьшается до единицы, у полученных полевых транзисторов с малой длиной затвора (40 нм) приближалась к 155 ГГц. «Это рекорд для устройств, изготовленных с применением CVD-графена, — утверждает руководитель исследования Федон Авурис (Phaedon Avouris). — Более того, наша технология имеет хорошие перспективы развития. Мы использовали CVD-графен не слишком высокого качества с подвижностью носителей заряда, опускающейся ниже 1 000 см²/(В•с)».
Интересно, что графеновые транзисторы на алмазоподобном углероде прекрасно работали даже при сверхнизкой температуре в 4,3 К. У обычных полупроводниковых устройств при падении температуры проявляется эффект вымораживания носителей заряда, сильно ухудшающий характеристики.
Полная версия отчёта опубликована в журнале Nature.
Подготовлено по материалам Physicsworld.Com.
Похожие новости:
Изготовлен «вертикальный» графеновый транзистор На основе нанопроводов создана программируемая логическая схема Графен. Для чего он нужен и как с ним идут дела? Установлен рекорд эффективности для гибких солнечных элементов на полимерной подложке Теоретически предсказано существование трёх сверхплотных модификаций углерода
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.