Главная страница » Новости » Представлена новая технология производства нанотранзисторов

Чат
Shu_her
Камрады, кто в великах разбирается? Надо помощь
Shu_her
Здрастевсемблеать
россо леванто
ТАК
PlayDALNOBOY
bylterer, тас про lev пост в паблике он сталкиртчирнобиля с деревнидеревнях butthurt
shmit_ink
может кто динозавра восстанавливает
shmit_ink
Никому не нужны ддр 1 1 гб 2 шт? hynix pc3200u-30330 ? поменяю на аналогичный объем ddr2 , можно одной планкой
Свідомий
Свідомий
bylterer
Link huy мамаки бля
bylterer
Ybludok, тебя дурачка только по средам санитары выпускают? butthurt
Ybludok
Свідомий
Комунист, Link
Ybludok
Ybludok
Ybludok
оврага
Гусінь
говнючки
Свідомий
ZippeR
troll
Петроwич
bylterer, хорошо хоть не наоборот troll
Ybludok
Фуфырик
Поебите себя куском сала
Комунист
Тварини, що живуть у ґрунті (дощові черв'яки, кроти), розпушують його і подрібнюють рештки рослин. Остаточно перетворюють відмерлі рештки рослин і тварин на перегній мікроорганізми (різні бактерії)
Комунист
Свідомий, jumpy
Комунист
https://www.youtube.com/watch?v=3ZN2VIhfa9E
PlayDALNOBOY
И снова здрастуйте как вам новые тарифы butthurt
Свідомий
Serejant, Link
Serejant
А в чате бьюеблет и посылают... Ничего не меняется.

Только зарегистрированные посетители могут писать в чате.
Опрос

Кто ты, камрад?

(М) 8==>
(Ж) (.)(.)
(не определился) (.)(.) 8==>
 
 
 
В американской компании Applied Materials научились наносить слои диэлектрика толщиной в один атом каждый, чтобы получался 22-нанометровый чип с транзистором.


Представлена новая технология производства нанотранзисторов



Оборудование для производства нанотранзисторов нового поколения. (Фото Applied Materials.)



Нанотранзистор, сконструированный специалистами Applied Materials, состоит из трёх слоёв: кремниевой основы, проводящего слоя диоксида кремния и изолирующего слоя оксида гафния, содержащего атомы азота.

Поскольку от диэлектрика зависит способность транзистора контролировать прохождение электронов, а толщина этого слоя составляет всего 2 нм, инженеры предложили поатомное распределение материала. В целях защиты изделия от посторонних включений, которые содержатся в воздухе, процедура проводится в вакуумной камере.

Такой подход, получивший название Centura Integrated Gate Stack, позволяет ускорить прохождение заряженных частиц через транзистор на 10%. Это в конечном счёте приводит к более быстрой работе микропроцессора или графического чипа с таким транзистором, а также к экономии энергии.

Applied Materials продемонстрировала технологию на конференции по микроэлектронике Semicon West 2011, состоявшейся 12–14 июля в Сан-Франциско (США).

Подготовлено по материалам Applied Materials.
15
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь.
Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.
#1
17-07-2011 15:59
 
Гости
0
А зачем эти нанатранзистары вапще нужны?Музыку играют,да?

#2
17-07-2011 16:06
 
1087
 
3237
 
Мистер Комунист
0
чтобы создавать более мощные процессоры (более умные) в том же объёме больше транзисторов ... это закон Мура... и к нему стремится вся электроника всего мира .. в частности Силиконовая долина в штате Калифорния

#3
17-07-2011 16:10
 
Гости
0
Ясна... lol

#4
 
Drummer
17-07-2011 16:21
 
33
 
983
 
Старожилы S.F.W.
0
ну еще бы , каждый год технологии улучшаются и все больше и больше транцисторов умещается на платине ,
__________________________________________
Ненавижу алкашей

#5
 
Asad
17-07-2011 16:54
 
19081
 
Старожилы S.F.W.
0
noid_debil

#6
 
Apokrif
17-07-2011 17:09
 
64
 
2450
 
Журналюги
0
thumbsup
__________________________________________



#7
17-07-2011 18:04
 
10
 
2891
 
Старожилы S.F.W.
0
wink
__________________________________________

#8
17-07-2011 18:57
 
1865
 
Старожилы S.F.W.
0
да куда уже больше noid_help
__________________________________________
Круто быть стриптизершей в том, что человек большую часть дня просто бродить вокруг и ничего не делать.

#9
 
AMF
17-07-2011 19:09
 
127
 
9946
 
Старожилы S.F.W.
0
noid_alien

#10
17-07-2011 19:10
 
3899
 
Старожилы S.F.W.
0
пень333

#11
 
inside
17-07-2011 19:13
 
12
 
1502
 
Старожилы S.F.W.
0
ИБМ разработала транзисторы с граничной частотой 300ГГц, а это шо за kalhozneg

#12
 
Soyer
17-07-2011 20:18
 
94
 
8126
 
Старожилы S.F.W.
0
vsempohuy

#13
17-07-2011 21:51
 
1
 
504
 
Старожилы S.F.W.
0
Цитата: inside
а это шо за

с помощью этой шняги эти ваши айфоны будут с четырёхядерными процами, и тянуть крайзис

#14
 
dralex
17-07-2011 23:22
 
2
 
24788
 
Старожилы S.F.W.
0
vsempohuy

#15
17-07-2011 23:31
 
58
 
Старожилы S.F.W.
0
Комунист, А я уж подумал что нанокомбик реален wink

#16
 
Levicom
18-07-2011 00:41
 
2
 
926
 
Старожилы S.F.W.
0
noid_shitting

#17
18-07-2011 17:36
 
2974
 
Старожилы S.F.W.
0
Класс! noid_plus Слышал, что русские тоже ведут разработки пленок и напылений в атом толщиной, но что-то долго о них ничего не слышно. Видать ученые свалили в цивилизованный мир. Ждем реализации в устройствах.

#18
 
Valter
19-07-2011 08:09
 
325
 
12368
 
Журналюги
0
Это полезно!
__________________________________________
и долгая тьма закончилась...

Информация
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии к данной публикации.
наверх